二极管混频原理 混频二极管,混频二极管是什么意思

混频二极管,混频二极管是什么意思

混频二极管是一种肖特基势垒二极管,它是利用金属和N型半导体相接触所形成的金属——半导体结的原理而制成的。当金属与半导体相接触时,它们的交界面处会形成阻碍电子通过的肖特基势垒,即表面势垒。为了使半导体中的载流子容易地越过势垒进入金属,它必须采用电子逸出功(电子跑出半导体或金属表面所需的能量)比金属大得多的N型半导体。当二极管加上正向偏压时,势垒下降,多数载流子(电子)便从半导体进入金属。

混频二极管与一般二极管相比,由于利用多数载流子工作,没有少数载流子储存效应,所以具有频率高、噪声低和反向电流小等特点,主要用于混频器。使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管。

电特性

(1)正向特性

表1给出日立公司生产的混频二极管的电性能,共17个型号,主要用于UHFTV调谐混频器、CATV平衡混频器和调谐混频器二极管混频原理,外形DO-35个玻壳封装,尺寸为4.2mm×2.0mm,引出线为2个引脚;DO-34为玻壳封装,尺寸为2.4mm×2.0mm,2个引脚;UMD为微型玻壳封装,尺寸为2.6mm×1.6mm,2个引脚;LLD为无引线玻壳封装,尺寸为3.5mm×1.35mm;MPAK(EIAJSC-59)为片状化封装,尺寸为2.8mm×1.5mm×1.1mm,引出线为3个引脚;SRP为片状化封装,尺寸为2.6mm×1.6mm×1.1mm,引出线为2个引脚。

HSM88S/SR和HSM88AS/ASR都是由两个串联的混频二极管组成,HSM88S与HSM88SR的区别仅在于引出线的正负端有所不同,HSM88AS与HSM88ASR的区别也是如此。HSM88WA/WK由两个并联的混频二极管组成,WA与WK的区别仅在于引出线的正负端有有不同。

从表1中可知,国外混频二极管在外形上有两大发展趋势,一是尺寸越来越小,如玻壳封装从DO-35到DO-34再到UMD,二是从轴向有引线向片状化方向发展,从DO-35到LLD/MPAK/SRP。

为了叙述方便,这里仅以1SS86/1SS87为例说明。它们的正向特性如图1所示,当正向电流IF为1mA时,1SS86的正向压降VF≤0.2V,1SS87的VF≤0.45V;当IF为10mA时,1SS86的VF=0.4V,1SS87的VF=0.6V。另外,从表1中可知,国外混频二极管的正向特性越做越好,主要表现在正向特性的一致性更好,有类似于变容管的配对特性,如在IF=10mA下,1SS165的VF=520mV~600mV±5mV;HSM88S/SR与HSM88AS/ASR的VF分别为520mV~600mV±10mV和500mV~580mV±10mV,表明VF的偏差只有5mV~10mV。

表1日立的混频二极管

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图11SS86/1SS87的正向特性

图21SS86/1SS87的反向特性

图31SS86/1SS87的结电容与反向电压的关系

图4混频器的组成部分

(2)反向特性

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它们的反向特性由图2所示。混频二极管的反向漏电流较小,如在VR=2V下,1SS86的IR为20μA,1SS87的IR为1μA;在VR=4V下二极管混频原理,1SS86的IR为70μA,1SS87的IR为4μA,表明1SS87的反向特性比1SS86好。混频器要求混频二极管的反向漏电流小,这样,混频器的噪声系数也小。

(3)结电容

它们的结电容与反向电压的关系由图3所示。当VR=0V时,1SS86/1SS87的结电容C都小于0.85pF;在VR=1V时,它们的电容C都小于0.7pF。由于混频二极管的结电容较小,所以混频器的频率较高。另外,从表1可知,国外混频二极管的结电容的偏差也越来越小,如在VR=0V时,1SS88/1SS165/1SS166的电容偏差ΔC均为±0.05pF;HSM88S/SR、HSM88AS/ASR和HSM88WA/WK的ΔC均为±0.1pF。


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