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第2讲课程教案第 一 章：半导体二极管和三极管第一节（课）：半导体二极管（下） 教学目标: 1、能概括晶体二极管的工作原理；2、熟悉二极管的伏安特性；2、掌握半导体二极管电路的分析方法。序号本讲主要环节（内容）时间（分）教学方法及手段物资保障123（1）（2）45678课前回顾二极管的结构、类型、符号二极管的伏安特性正向特性反向特性温度对二极管的影响二极管的参数二极管的识别与测试二极管的应用举例小结510 151055 5205教学方法：通过运用课堂提问，层层设疑，贯彻启发式教学思想；设置互动环节增加课堂的生动性。授课中重点突出二极管的应用。教学手段:运用多媒体教学和板书相结合的手段，辅以实物、图片、动画等手段。多媒体课件任课教员：教学组长审核：第一章 半导体二极管和三极管1.1 半导体二极管一、二极管的结构、类型、符号1.结构：PN结加电极引线封装2.符号：3.分类二、二极管的伏安特性（一）正向特性1. 死区硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。2.导通区导通电压几乎恒定不变硅管约为0.7，锗管约为0.2V。（二）反向特性1.反向截止区2.反向击穿区：第一章 半导体二极管和三极管1.1 半导体二极管三、温度对二极管的影响反向饱和电流IS随温度升高增大。

正向结电压随温度升高而减小。四、二极管的主要参数1．最大整流电流IFM2．最高反向工作电压URM3．最大反向电流IR4．最高工作频率五、二极管的识别与测试 依据：二极管正向电阻小，反向电阻大。六、二极管的应用1．二极管的开关作用2．二极管的整流作用3．二极管的限幅作用第一章 半导体二极管和三极管1.1 半导体二极管教学重点：二极管的伏安特性。教学难点：二极管的伏安特性。新课导入：利用PN结的单向导电性，可以用来制造一种半导体器件——半导体二极管。半导体二极管又称晶体二极管。几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，本节主要介绍常用二极管的结构、伏安特性和参数及应用等。讲授内容：一、二极管的结构、类型、电路符号1.结构半导体二极管是由一个PN结加上电极引线和外壳封装而成。P区引出的电极称为阳极，或叫正极，用A表示；N区引出的电极称为阴极,或叫负极,用K表示。 图1- 半导体二极管的外形与符号按结构的不同来分，可分为点接触型和面接触型；若按应用场合的不同来分，可分为整流二极管、稳压二极管、检波二极管、限幅二极管、开关二极管、发光二极管等；若按功率的不同可分为小功率、中功率和大功率；若按制作材料的不同，可分为锗二极管和硅二极管等。

图1- 伏安特性实验电路 图1- 半导体二极管伏安特性6V～0.8V，锗二极管约0.2V～0.3V。这一区段二极管，称为正向导通区。（二）反向特性1.反向截止区当二极管加反向电压（又称反向偏置）时，形成的电流称反向漏电流IR，其值很小，这一区段，称为反向截止区。正常情况下，硅二极管的反向漏电流IR一般在几微安以下，锗二极管的IR较大，一般在几十微安至几百微安。2.反向击穿区当反向电压增加到一定大小的UBR时，反向电流突然急剧增加，这种现象称为二极管反向击穿。使二极管发生反向击穿时的反向电压UBR称为反向击穿电压。产生反向击穿的原因是在强电场作用下，使少数载流子急剧增加，引起反向电流急剧增大。这种现象的产生分为两种类型。一种是当反向电压高到一定数值时，因外加电场过强，而把共价键中的价电子强拉出来，造成电子一空穴对，从而使少数载流子数量急剧增加。另一种是强电场可引起自由电子加速后与原子碰撞，将价电子轰出共价键，产生新的电子一空穴对，使少数载流子数量剧增。这两种因素产生的击穿现象均称为电击穿。发生电击穿后，如果反向电压很高，反向电流又很大，则消耗在二极管PN结上的功率就会很大，将超过PN结容许的耗散功率，产生过多的热量散发不出去，使PN结温度升高，结温升高又使反向电流增大，而电流增大又使结温进一步升高，结果使PN结因过热而烧毁。