IC 封装基板技术随着电子产品微小型化、多功能化和信号传输高频高速数字化，要求 PCB 迅速走向高密 度化、高性能化和高可靠性发展。为了适应这个要求，不仅 PCB 迅速走向 HDIBUM 板、嵌 入（集成）元件 PCB 等，而且 IC 封装基板已经迅速由无机基板（陶瓷基板）走向有机基板 （PCB 板） 。有机 IC 封装基板是在 HDI/BUM 板的基础上继续‘深化（高密度化） ’而发展起 来的，或者说 IC 封装基板是具更高密度化的 HDI/BUM 板。 1 封装基板的提出及其类型 1.1 有机封装基板的提出 封装基板是用于把多个一级（可用二级）封装 IC 组件再封（组）装形成更大密度与容量 2 的一种基板。由于这类基板的封装密度很高，因此，其尺寸都不大，大多数为≤50*70mm 。 过去主要是采用陶瓷基板，现在迅速走向高密度 PCB 封装基板。 （1）陶瓷封装基板。 陶瓷封装基板的应用已有几十年的历史了，基优点是 CTE 较小，导热率较高。但是，随 着高密度化、特别是信号传输高频高速数字化的发展，陶瓷封装基板遇到了严厉的挑战。 ① 介电常数ε r 大（6∽8） 。 信号传输速度 V 是由来介电常数ε r 决定的，如下式可得知。
V=k·C/(ε r)1/2 其中：k——为常数；C——光速。这就是说，采用较小的介电常数ε r，就可以得到较 高的信号传输速度。还有特性阻抗值等问题。 ②密度低。L/S≥O.1mm，加上厚度厚、孔径大，不能满足 IC 高集成度的要求。 ③电阻大。大多采用钼形成的导线，其电阻率（烧结后）比铜大三倍多或更大，发热 量大和影响电气性能。 ④基板尺寸不能大，影响密度和容量提高。由于陶瓷基板的脆性大，不仅尺寸不能大， 而且生产、组装和应用等都要格外小心。 ⑤薄型化困难。厚度较厚，大多数为 1mm 以上。 ⑥成本高。 （2）有机（PCB）基板。 有机（PCB）基板，刚好与陶瓷封装基板相反。 ①介电常数ε r 小（可选择性大，大多用 3∽4 的材料） 。 ②高密度化好。L/S 可达到 20∽50?m，介质层薄，孔径小。 ③电阻小。发热低，电气性能好。 2 ④基板尺寸可扩大。大多数为≤70*100mm 。 ⑤可薄型化，目前，双面/四层板，可达到 100∽300?m。 ⑥成本低。 在 1991 年，由日本野洲研究所开发的用于树脂密封的倒芯片安装和倒芯片键合（连接） 的 PCB 和 HDI/BUM 板，这些有机封装基板和 HDI/BUM 板等比陶瓷基板有更优越的的有 利因素和条件，使它作为 IC 的裸芯片封装用基板是非常合适的，特别是用于倒芯片（FC） 的金属丝的封装上ic芯片金属，既解决了封装的 CTE 匹配问题，又解决了高密度芯片的安装的可行性 问题。
关于 PCB 基板的 CTE 较大和导热差方面，可以通过改进和选择 CCL 基材得到较好的解 决。 1.2 IC 封装基板的类型1.2.1 IC 封装基板主要的两个问题。 （1）搭载裸芯片的封装基板与所要封装元（组）件的 CTE（热膨胀系数）匹配（兼容） 。 （2）搭载裸芯片的封装基板的高密度化，要满足裸芯片的高集成度要求。 1.2.2 封装基板的三种类型。 到目前为止，用于裸芯片的封装基板有三种类型，如表 1 和图 1 所示。 从本质上来说，PCB 是为元（组）件提供电气互连和机械（物理）支撑的。在今天的电 子封装市场上，主要存在着三种类型的的封装： （1） 有机基板的封装， CTE 为 13∽19ppm/℃， 其 采用金属丝键合 （WB） 然后， BGA/?BGA ， 再 焊接到 PCB 板上； （2） 陶瓷基板封装， CTE 为 6∽8ppm/℃， 其 由于陶瓷基板的缺点， 逐步采用 6∽8ppm/℃ 有机封装基板； （3）与晶圆片匹配的有机封装。既理想的尺寸与速度（即芯片级）匹配的封装，如采用 特别低的 CTE 封装基板与晶圆(片)级封装 （WLP， wafer level package） 直接芯片安装 、 （DDA， direct die attach）匹配的安装,其 CTE 接近 2∽4ppm/℃（参见表 1） 。
